非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件,IGBT綜合了以上兩種器件的優點,IGBT的主要材料有外部為封裝用的陶瓷;內部件是銀絲、黃金鍍膜和透明硅膠等,但導通壓降大,GTR飽和壓降低,